孟凡易,哲学博士,天津大学微电子学院教授。主要研究方向为基于CMOS工艺的RF/mm-Wave/THz集成电路与系统设计,CMOS35等异质集成工艺、方法及电路设计研究。
一、教育背景
2011/08–2016/02,新加坡南洋理工大学,电气与电子工程,博士
2007/08–2011/07,新加坡南洋理工大学,电气与电子工程,学士,一等荣誉学位
二、工作经历
2018/11–至今,天津大学,微电子学院,教授
2016/12–2018/10,电子科技大学,物理电子学院,副教授
2015/08–2016/12,新加坡南洋理工大学,研究员(PI)
三、科研项目
1. 国家自然科学基金青年基金项目,61471092,在研,主持。
2. 新加坡企业研究所项目,硅基无线异构网络芯片与系统:针对智慧学习环境的硬件设计,在研,Co-PI。
3. 新加坡企业研究所项目,基于氮化镓和硅基CMOS直流转换器的芯片设计,在研,Co-PI。
四、学术成果
成果发表在IEEE TPE、ISSCC、TTHz、JSSC、TMTT、TED、TCAS-I、TVLSI等顶级期刊和会议上,共计50余篇,其中SCI收录24篇。授权美国专利1件。
部分论文:
[1] F. Meng, and et al., "A 130-to-180GHz 0.0035mm2 SPDT switch with 3.3dB-loss and 23.7dB-isolation in 65nm bulk CMOS," in IEEE ISSCC Dig. Tech. Papers, pp. 34-36, 2015.
[2] F. Meng, and et al., "Heterogeneous Integration of GaN and BCD Technologies and Its Applications to High Conversion-ratio DC-DC Boost Converter IC," IEEE Trans. Power Electron., 2018.
[3] F. Meng, and et al., “Monolithic Sub-Terahertz SPDT Switches With Low Insertion Loss and Enhanced Isolation,” IEEE Trans. THz Sci. Technol., vol. 8, pp. 192-200, Mar. 2018.
[4] F. Meng, and et al., "A 220-285 GHz SPDT switch in 65-nm CMOS using switchable resonator concept," IEEE Trans. THz Sci. Technol., vol. 5, pp. 649-651, Jul. 2015.
[5] F. Meng, and et al., "A 57-to-64 GHz 0.094-mm2 5-bit passive phase shifter in 65-nm CMOS," IEEE Trans. Very Large Scale Integr. (VLSI) Syst., vol. 24, pp. 1917-1925, May 2016.
五、联系方式
真诚欢迎有意攻读硕士/博士研究生的同学加入团队:)
电子邮箱:
mengfanyi@tju.edu.cn
办公地址:微电子学院26D教学楼635室
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