【北洋微电讲堂第九期】基于三维扇出型晶圆级技术的大容量存储器制造

        对于大部分电子器件来说,集成密度的改进来自最小特征尺寸的不断减小,从而更多的功能被集成在半导体芯片的不同区域中,即System-on-Chip (SoC)。半导体制造技术的发展一直遵循着摩尔定律。但当集成电路的特征尺寸降低到10nm以下时,半导体制造逐渐逼近硅工艺的极限。目前常规芯片内布置存储单元大都是平铺 (即,2D),极易受到面积尺寸的局限。三维数据型存储单元技术成为扩大存储器容量的核心研究方向。三维数据型闪存技术(3D NAND Flash)是通过在硅片表面垂直叠加几十个或更多的电荷存储层来提高单颗芯片的存储密度,在同样的面积下提供更大的数据存储空间。但因受到其关键工艺Deep Trench现有通孔蚀刻技术的限制, 目前3D NAND Flash芯片的制造在实现64层存储单元堆叠时,已经相当困难。 在这种技术背景下, 本次报告提出了全新的基于三维扇出型晶圆级技术的实现大容量存储器、高端存储模块制造解决方案。

时间:2018年7月21日(周六)10:00

地点:26教学楼D区212会议室
主讲人简介:
        陆原,国家“千人计划”特聘专家,中国科学院微电子研究所研究员,博士生导师。目前同时担任Silex微系统科技(北京)有限公司CTO兼首席科学家。
陆原于2006年在美国维恩州立大学获取材料工程博士学位。2012年2月至今在中国科学院微电子研究所从事三维微电子集成研究工作。 陆博士回国前在美国多家著名半导体公司(General Motors-Delphi, AVX, Digital Semiconductor, Lucent Technologies, Flip Chip International, Freescale Semiconductor, etc)从事先进微电子集成技术研发20年。先后担任过研发工程师,高级研发工程师,研究员,研发经理等职务。熟悉各种微电子集成技术,工艺流程,研发团队领导,项目管理,协调,研发战略规划制定等。特别是最近6年,一直从事先进MEMS传感器制造、三维晶圆级集成、扇出型晶圆级集成、超细间距IC互连,超高速光电器件与IC集成等研发工作。曾作为首席科学家、课题组长、子课题负责人,参与国家科技重大专项(02专项)多个项目的研发工作。获得(和在审) 美国,欧洲,和中国专利50多项。